WEP054 　ポスター①　 7月31日 2Fリハーサル室 13:00-15:00

ギャップスイッチの自爆放電電圧特性について

Study on self breakdown voltage characteristics of gap switches

○中田 恭輔，伊藤 俊輝，徳地 明（株式会社パルスパワー技術研究所）

○Kyosuke Nakata, Toshiki Ito, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan laboratory ltd.)

昨今はSiCやGaNといった高性能な半導体スイッチが登場し、広く使われている。しかし、未だに数十kVや数kAの定格を持つ半導体スイッチは市販されていない。ギャップスイッチは構造が簡単で、半導体スイッチでは難しい高電圧・大電流のスイッチングを実現できるが、自己破壊電圧など不確定要素が多い。本研究では、ギャップスイッチの自己破壊電圧の特性を、流れる電流とギャップスイッチ間の充填空気圧に着目して調べ、その結果を考察した。