WEP032 　ポスター①　 7月31日 2F交流ラウンジ 13:00-15:00

テラヘルツ自由電子レーザーで見る半導体高密度表面キャリアダイナミクス

Study for dynamics of high-density carriers on the semiconductor surface probing by the terahertz free electron laser

○川瀬 啓悟（QST）

○Keigo Kawase (QST)

大阪大学産業科学研究所量子ビーム科学研究施設のテラヘルツ自由電子レーザーは、数マイクロ秒にわたって数十ナノ秒間隔でピコ秒幅の高強度テラヘルツパルス列を発生する。この広い時間スケールのパルス列を用いて、フェムト秒高強度レーザーを半導体表面に照射することにより励起した高密度表面プラズマからのテラヘルツパルスの反射と透過の過渡的変化を計測することでキャリアダイナミクスを研究する。本研究では特に直接遷移型半導体であるGaAsと間接遷移型半導体であるGe, Siとを比較して実験している。本発表では、これまでに得られたGaAsとGe, Siについての過渡的応答についての計測結果を報告し、詳細を議論する。