WEP39 　ポスター②　 8月30日 14号館1442教室 13:30-15:30

HIPISの高度化〜RCNP AVFサイクロトロンの高性能化への対応〜

Upgrade of HIPIS ~ for higher performance of RCNP AVF cyclotron~

○山﨑 敦博，松田 洋平，梅本 学嗣，齋藤 風太，中野 健人，森下 鉄将，土田 安那，安村 昂紀（甲南大），福田 光宏，依田 哲彦，神田 浩樹，安田 裕介，畑中 吉治，田村 仁志，齋藤 高嶺（阪大RCNP），根引 拓也，米田 達則（住重加速器サービス）

○Nobuhiro Yamasaki, Yohei Matsuda, Satoshi Umemoto, Futa Saito, Kento Nakano, Tesshou Morishita, Anna Tsuchida, Kouki Yasumura (Konan Univ.), Mitsuhiro Fukuda, Tetsuhiko Yorita, Hiroki Kanda, Yuusuke Yasuda, Kichiji Hatanaka, Hitoshi Tamura, Takane Saito (RCNP, Osaka Univ.), Takuya Nebiki, Tatsunori Yoneda (SHI Accelerator Service Ltd.)

大阪大学核物理研究センター(RCNP)ではAVFサイクロトロン加速器の高性能化を目指したアップグレードが行われた。その中で、加速器の建設時にはその上部に設置されていたイオン源群は撤去された。建設後に他のイオン源と同様に大強度偏極イオン源(high-intensity polarized ion source, HIPIS)もイオン源上部に戻し、低エネルギービーム輸送系との接続並びにアライメントを行った。アップグレード計画では、ビーム強度の増強を目的としてイオン源の加速電圧を15 kVから50 kVに上がる。それに伴いHIPISの引き出し電圧も50 kVにする取り組みが必要となっていた。本研究では、三次元電場計算ソフトを用いて加速電極周辺の電場計算を行い、電極周辺の放電対策の検討を行った。その結果をもとに放電箇所に対して対策を行い、高圧印加試験を行ったところ50 kVまで印加することに成功した。また、引き出し電圧を50 kVにした場合の軌道計算を行い、輸送効率が最適となる引き出し方法の検討を行った。さらに引き出した後の低エネルギービーム輸送系での軌道計算を行い、サイクロトロンへの入射効率についても検討した。本講演ではこれらの結果並び現状について報告する。