WEP35 　ポスター②　 8月30日 14号館1442教室 13:30-15:30

短パルスレーザーイオン源の開発

Development of short pulse laser of ion source at RCNP

○橘髙 正樹，福田 光宏，依田 哲彦，神田 浩樹，齋藤 高嶺，田村 仁志，安田 裕介，原 隆文，荘 浚謙，ZHAO HANG，松井 昇大朗，井村 友紀，渡辺 薫（阪大RCNP），岩下 芳久（京大複合研），山﨑 淳（名大），不破 康裕（J-PARC/JAEA）

○Masaki Kittaka, Mitsuhiro Fukuda, Tetsuhiko Yorita, Hiroki Kanda, Takane Saitou, Hitoshi Tamura, Yusuke Yasuda, Takafumi Hara, Him Chong, Hang Zhao, Shotaro Matsui, Tomoki Imura, Kaoru Watanabe (RCNP), Yoshihisa Iwashita (KURRI,Univ.of Kyoto), Atsushi Yamazaki (Nagoya University), Yasuhiro Fuwa (J-PARC/JAEA)

大阪大学核物理研究センター(RCNP)では、短パルスレーザーイオン源の開発及びレーザーイオン源による短パルス低エミッタンスビームの生成に取り組んでいる。近年、加速器は素粒子・核物理学実験といった物理学研究だけでなく、癌に対する粒子線治療や中性子ビームを用いた半導体のソフトエラーの検出など医療・産業分野にも広く利用されている。この加速器の医療・産業利用が普及するためには小型化および安全性・安定性の向上が求められている。この加速器運用の安全性向上にあたり、低エミッタンスビームの実現は加速器構成機器の放射化及び熱破損リスクの低減につながる。RCNPでは短パルスレーザーイオン源の開発に着手した。短パルスイオン源は、近年粒子線治療で注目されているFLASH照射にも有効である。この開発にはAVFサイクロトロンのRFと同期するレーザーおよびレーザー照射時の最適ガス密度など、様々な開発要素がある。本発表では、短パルスレーザー生成実験の状況について報告する。