THOA14 　加速器応用・産業利用　 8月31日 13号館1325教室 17:10-17:30

将来リソグラフィー用EUV-FEL光源

EUV-FEL light source for future lithography

○中村 典雄，加藤 龍好，阪井 寛志，土屋 公央，谷本 育律，本田 洋介，宮島 司，島田 美帆，山本 将博，谷川 貴紀，田中 織雅，帯名 崇，河田 洋（高エネ研）

○Norio Nakamura, Ryukou Kato, Hiroshi Sakai, Kimichika Tsuchiya, Yoshinori Tanimoto, Yosuke Honda, Tsukasa Miyajima, Miho Shimada, Masahiro Yamamoto, Takanori Tanikawa, Olga Tanaka, Takashi Obina, Hiroshi Kawata (KEK)

EUVリソグラフィ(波長13.5 nm)では、先端半導体の量産が近年開始され、日本でも将来の先端半導体の量産を目指す会社Rapidus（株）と先端半導体量産技術の研究開発拠点であるLSTC(Leading-edge Semiconductor Technology Center)が昨年設立された。現在のEUV露光装置では250Wのレーザー生成プラズマ(LPP)光源が使用されているが、将来より高いスループットと高い分解能を実現するためにはより強力なEUV光源が必要とされる。我々は、将来のリソグラフィのためにERLを用いた高出力EUV-FEL光源を設計・研究してきた[1,2]。この光源は、高いEUV出力(> 10 kW)を有すること、プラズマによるミラーの汚染がないこと、Beyond EUV光源(波長6.7 nm)へ拡張できること、高NAリソグラフィのための偏光制御が可能なこと、露光装置1台あたりの電力消費とコストが低いことなど、LPP光源と比べて多くの利点を有する。また、KEKのコンパクトERL(cERL)に設置したIR-FELを用いたEUV-FEL光源の概念実証(PoC: Proof of Concept)実験も進んでいる。本発表では、将来リソグラフィー用EUV-FEL光源について紹介する。 [1] H. Kawata et al., J. Micro/Nanopattern Mater. Metrol. 21(2), 021210 (2022). [2] N. Nakamura et al., Jpn. J. Appl. Phys. 62, SG0809 (2023).