FRP26 　ポスター④　 9月1日 14号館1432教室 10:10-12:10

次世代EUVリソグラフィー用高出力EUV-FELにおける偏光制御シミュレーション

Numerical simulation on variable-polarized high-power EUV-FEL for next-generation EUV lithography

○谷川 貴紀，加藤 龍好，本田 洋介，島田 美帆，中村 典雄，土屋 公央，阪井 寛志，河田 洋（高エネ研）

○Takanori Tanikawa, Ryukou Kato, Yosuke Honda, Miho Shimada, Norio Nakamura, Kimichika Tsuchiya, Hiroshi Sakai, Hiroshi Kawata (KEK)

日本において先端半導体の量産体制を整われつつ昨今、将来的にEUVリソグラフィーに必要となる光源及び露光装置の需要が高まってきている。次世代半導体製造には高出力・高分解能のEUV光源が要求されている。我々は10kW級のERLベースの高出力EUV-FELを円偏光光源として提案してきた。高NAリソグラフィーには直線偏光光源の要求もあり、本発表では同EUV-FELにおいて円偏光及び直線偏光の場合にどのような光特性が得られそうであるかのシミュレーション結果について報告する。