WEP058 　ポスター②　 10月19日 会議室P 13:00-15:00

リソグラフィー用ERL EUV-FELに向けた入射器設計

Injector design towards ERL-based EUV-FEL for lithography

○田中 織雅，中村 典雄，宮島 司，谷川 貴紀（高エネルギー加速器研究機構）

○Olga Tanaka, Norio Nakamura, Tsukasa Miyajima, Takanori Tanikawa (High Energy Accelerator Research Organization (KEK))

ERL FELを使用した高出力EUV光源は10kW以上のEUV出力の生成が可能で、多数の半導体露光装置に将来必要となる1kW以上のEUV光を同時に供給することができる。電子ビームはFEL上流の第1アークでバンチ圧縮されて、高いピーク電流を得る必要がある。また、その時のビームの運動量広がりや横方向エミッタンスもFEL出力に影響する。このEUV FEL入射器の要件としては、横方向エミッタンス以上に縦方向エミッタンスを小さくすることが重要である。また、入射器出口でのバンチ長は下流のアーク部でのバンチ圧縮やFELの出力を考えて設定する必要がある。多目的遺伝的アルゴリズムを使用して空間電荷効果を制御しながら、FEL高出力化のために最適な入射器ビームについて設計検討を行った。本発表では、ERL EUV-FELに適した入射器の最適化について報告する。