TUP043 　ポスター①　 10月18日 会議室P 13:30-15:30

RCNPイオン源の高輝度化

Improvement of the brightness of ion sources at RCNP

○橘髙 正樹，福田 光宏，依田 哲彦，神田 浩樹，畑中 吉治，斎藤 高嶺，田村 仁志，安田 祐介，森田 泰之，武田 佳次朗，原 隆文，荘 浚謙，ZHAO HANG，松井 昇大朗（阪大RCNP）

○Masaki Kittaka, Mitsuhiro Fukuda, Tetsuhiko Yorita, Hiroki Kanda, Kichiji Hatanaka, Takane Saitou, Hitoshi Tamura, Yusuke Yasuda, Yasuyuki Morita, Keijiro Takeda, Takafumi Hara, Tsum Him Chong, Hang Zhao, Syotaro Matsui (RCNP)

大阪大学核物理研究センター(RCNP)では、RI 製造や中性子、μ 粒子といった2次ビームの利用が近年拡大している。そのため加速器からの 1 次ビームの増強を進めている。本研究では、RCNPにおけるビーム増強の開発の一環として、イオン源の高輝度化を実施した。この高輝度化の実施は、イオンビームの高強度化はもちろんのこと、同時にエミッタンスを低減することで、ビームロスに伴う機器への熱負荷や放射化を抑えるためである。イオン源の高輝度化を実現するため、既存のECRイオン源の加速電圧の高圧化を行った。既存の ECR イオン源は引き出し電圧が 15 kV で運用されていたが、50 kV まで高圧化することで、イオン源から引き出されるビームの高輝度化を目指す。改造にむけて、まず、OPERA 3D,IGUN を用いて電磁場シミュレーションと電磁場中でのイオンビームのシミュレーションを行う。電磁場シミュレーションの結果をもとに、新しい絶縁構造を設計し、製作を行う。製作された電極と絶縁体を使用して、高圧印加試験とビームテストの測定を行う。本発表ではイオン源の改造設計と高輝度ビーム生成の現状を報告する。