TUP046 　高周波源・LLRF　 8月10日 会議室P 12:50 - 14:50

イグナイトロン代替半導体スイッチユニットの開発

Development of solid state switch unit for replacing ignitrons

○亀崎 広明，森 均，徳地 明（株式会社パルスパワー技術研究所），小野 礼人，高柳 智弘（JAEA/J-PARC）

○Hiroaki Kamezaki, Hitoshi Mori, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.), Ayato Ono, Tomohiro Takayanagi (JAEA/J-PARC)

パルス大電力クライストロンのカソード電源回路の短絡保護用クローバースイッチを構成するユニットとして、３０ｋＶ半導体スイッチの設計・製作を行った。ＭＯＳゲートサイリスタ素子を１６並列３直列接続した単位基板を１０直列接続とし、３０ｋVＤＣ４０ｋＡｐの高電圧大電流スイッチング性能を確認したので、その結果について報告する。