| TUP015 電磁石と電源 8月10日 会議室P 12:50 - 14:50 |
| 1.7kV SiC MOSFETを用いた半導体キッカー電源用LTD回路の開発 |
| Development of an LTD circuit using 1.7kV SiC MOSFET for a semiconductor kicker power supply |
| ○生駒 直弥，中田 恭輔，虫邉 陽一，徳地 明（株式会社パルスパワー技術研究所），高柳 智弘（J-PARC/JAEA） |
| ○Naoya Ikoma, Kyosuke Nakata, Yoichi Mushibe, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.), Tomohiro Takayanagi (J-PARC/JAEA) |
| LTD（linear transformer driver）電源は，複数段の放電回路の出力電圧を磁性体コアの二次側で重畳し，段数倍の高電圧パルスを得る“インダクション・リニアックの電子回路版”ともいえる電源方式であり，nsオーダーでの波形制御が可能といった画期的な特徴を有している．当社では，加速器における半導体キッカー電源への応用を目指し，スイッチングデバイスに1.2 kV SiC MOSFETを採用したLTD電源の開発を行ってきた．この度，電源の小型化を目指して1.7kV SiC-MOSFETを採用した回路を開発し，その性能を従来型と比較評価したので報告する． |