MOP024 　ビーム診断・ビーム制御　 8月9日 会議室P 12:50 - 14:50

SiCワイヤにおける二次電子放出の大強度ビームに対する耐久性

Durability of secondary electron emission for high-intensity beam on SiC wire

○明午 伸一郎，中野 敬太（J-PARC/JAEA）

○Shin-ichiro Meigo, Nakano Keita (J-PARC/JAEA)

原子炉の廃棄物の有害度低減に用いる加速器駆動型核変換システム(ADS)や大強度核破砕中性子源の安定した運転のためには、ビームプロファイルモニタが重要となる。J-PARCの核破砕中性子源では、炭化珪素(SiC)の二次電子弾き出しによるマルチワイヤ―プロファイルモニタ(MWPM)用い測定を行っている。ADSのターゲット等の材料試験のためにJ-PARCで建設を計画している陽子照射施設でも、SiC製のMWPMを用いる予定としている。SiCのビーム耐久性が重要となるため、Heイオンを用いてSiCワイヤの劣化を測定した。