WEPP52 　ポスターセッション①　 9月2日 ポスター会場 12:40-14:40

CsBr保護膜によるCs-Teフォトカソードの高耐久化に関する研究

Study on improving durability of Cs-Te photocathode with CsBr protective films

○江澤 健太朗，丹羽 智朗，福岡 凜大，小柴 裕也（早大理工総研），坂上 和之（早大理工総研/東大光量子研），鷲尾 方一（早大理工総研）

○Kentaro Ezawa, Tomoaki Tanba, Rinto Fukuoka, Yuya Koshiba (WISE, Waseda Univ.), Kazuyuki Sakaue (WISE, Waseda Univ./UT-PSC), Masakazu Washio (WISE, Waseda Univ.)

早稲田大学鷲尾研究室ではレーザーフォトカソード高周波電子銃（RF-gun）を用いた高品質ビーム生成に関する基礎研究・応用研究を行っている。重要な要素技術の一つとして、電子ビームを取り出すための電子源(カソード)の開発が挙げられる。高性能なカソードは高品質なビームの生成に貢献するため、様々な応用においてカソードの質を向上させることが求められる。現在、鷲尾研では半導体フォトカソードの1種として実績のあるCs-Teフォトカソードのさらなる高性能化に向けた研究を行っている。Cs-Teフォトカソードは1％程度の高い量子効率(Q.E. ：Quantum Efficiency)と2～3ヶ月という比較的長い1/e寿命を誇る優れたフォトカソードである。しかしながら、量子効率、寿命で優れるCs-Teフォトカソードは残存する酸素ガスによって著しくQ.E.が低下してしまうことが知られており、その問題を解決することが求められている。Cs-Teフォトカソードの残存ガスへの耐久性を向上させることを目標に、Cs-TeフォトカソードへCsBrをコーティングする実験を行った。本発表ではCsBr保護膜の膜厚依存性、およびコーティングによってCs-Teフォトカソードの残存ガス耐性が向上したことについて報告する。