WEOO04 　電磁石と電源　 9月2日 講演会場１ 16:10-16:30

ＲＣＳキッカー用半導体スイッチ電源

Semiconductor switch power supply for RCS kicker

○高柳 智弘，小野 礼人，堀野 光喜，植野 智晶，富樫 智人，山本 風海，金正 倫計（J-PARC/JAEA）

○Tomohiro Takayanagi, Ayato Ono, Koki Horino, Tomoaki Ueno, Tomohito Togashi, Kazami Yamamoto, Michikazu Kinsho (J-PARC/JAEA)

Ｊ－ＰＡＲＣのＲＣＳキッカー電源を代替する半導体スイッチ電源の開発を進めている。パワー半導体の素子には、現在の主流であるSi製より高周波特性に優れ低損失なSiC製のMOSFETを採用し、回路基板の主要な部分は、低ノイズと低インダクタンスを実現した放射対称型のLTD回路で構成した。また、電源全体は、既存のキッカー電源が備えるサイラトロン、ＰＦＮ、エンドクリッパに、新たに追加する周回中の大強度ビームのインピーダンス低減を目的として反射波吸収回路を1枚のモジュール基板で実装する主回路基板と、フラットトップのdroopを補正する低電圧出力の補正基板の2種類の組み合わせで構成する。主回路基板は一枚で800V/2kA出力が可能であり、52枚の主回路基板と20枚の補正基板を用いて、RCSキッカー電源に必要な高電圧40kVとフラットトップ平坦度±0.2%以下の出力試験に成功した。更に、キッカー電源の双子型構成を想定した20kVの2並列回路による予備試験を実施した。評価結果と今後の展望について報告する。