THPP43 　ポスターセッション②　 9月3日 ポスター会場 13:10-15:10

パルスパワー電源への応用に向けたSiC MOSFETの特性評価

The characterization of SiC MOSFET for application to pulsed power supplies

○生駒 直弥，中田 恭輔，虫邉 陽一，徳地 明（株式会社パルスパワー技術研究所）

○Naoya Ikoma, Kyosuke Nakata, Yoichi Mushibe, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.)

パルスパワー分野では，従来はスイッチングデバイスとして主に真空管が用いられていたが，近年は半導体素子への置き換えが進んでいる．半導体パルスパワー電源では，大電流のスイッチングに対応するため，それらを多数並列にしてスイッチを構成する手法がとられる．半導体素子として，高耐圧，低損失という優れた特徴を有するSiC MOSFETの普及が進んでおり，さまざまな製品が入手可能であるが，それらをパルスパワー用途に使用するとき，動作速度，電力損失（発熱），そして並列数の削減による電源の小型化，低コスト化の観点から，立上り/立下り時間，及びオン抵抗の評価が特に重要となる．この度，5種類のSiC MOSFETに対し，ドレイン-ソース電圧の立下り時間，及びオン抵抗の，ドレイン電流依存性を評価したので報告する．