WEPH008 　高周波源　 7月31日 百周年時計台記念館 国際交流ホール 13:30-15:30

238MHz42kWパルス半導体高周波増幅器の開発

Development of 238-MHz 42-kW solid-state pulse RF amplifier

○福岡 翔太，熊澤 伸彦，奥山 恒幸，相澤 修一，佐藤 和行（日本高周波），安積 隆夫（理化学研究所/高輝度光科学研究センター/量子科学技術研究開発機構），稲垣 隆宏（理化学研究所 放射光科学総合研究センター），大竹 雄次（高輝度光科学研究センター）

○Shota Fukuoka, Nobuhiko Kumazawa, Tsuneyuki Okuyama, Shuichi Aizawa, Kazuyuki Sato (Nihon Koshuha Co., Ltd.), Takao Asaka (RIKEN/JASRI/QST), Takahiro Inagaki (RIKEN SPring-8 Center), Yuji Otake (JASRI)

次世代放射光施設として高輝度3GeV放射光リングの計画が進められている。入射用線形加速器では、低エミッタンス蓄積リングへの入射を実現するため、安定でかつ再現性に優れた高品質ビーム生成が要求される。低エミッタンスビームを生成するための電子銃システムとして、50kV熱電子銃と238MHz加速空洞を組み合わせたRF電子銃を検討している。今回、低エミッタンスビームの実証実験で使用する238MHz加速空洞の電力供給源である42kW半導体増幅器を製作した。本増幅器は、電源部、高周波部、制御部から構成され、特に電源部においては低雑音化回路を用いることで高い安定性のRF出力を実現する。高周波部は、複数半導体を使用した数段の増幅素子から成る半導体増幅モジュールから構成される。総数36個の半導体増幅モジュールのRF出力は、リエントラント型電力合成器により電力合成し、ピーク電力42kW、パルス幅100μsのRFを出力する。本報告では、高周波増幅器設計の詳細、及びダミーロードを用いた負荷試験の結果について述べる。