WEP067 　電磁石と電源　 8月8日 大展示ホール 13:10 - 15:10

13kV級SiC-MOSFETを使用したパルスパワー電源の開発

Development of pulsed power supply utilizing 13 kV class SiC-MOSFETs

○岡村 勝也（高エネ研），隈元 大輝（長岡技科大），海東 達也（千葉工大），徳地 明，林 秀原（パルスパワー技術研究所），内藤 富士雄，高山 健（高エネ研），北井 秀憲，道越 久人，福田 憲司，坂本 邦博（産総研）

○Katsuya Okamura (KEK), Daiki Kumamoto (Nagaoka University of Technology), Tatsuya Kaito (Chiba Institute of Technology), Akira Tokuchi, Soowon Lim (PPJ), Fujio Naito, Ken Takayama (KEK), Hidenori Kitai, Hisato Michikoshi, Kenji Fukuda, Kunihiro Sakamoto (AIST)

加速器には各種のパルス電源が用いられているが、中でもキッカー電源は1us以下の立ち上がり、数10 kVの電圧が必要であり、パルスを切り出すためのスイッチ素子は長らく電子管（サイラトロン）の独壇場であった。しかし、サイラトロンは本質的に安定性、寿命に課題があり課題克服のために半導体デバイスで置き換える試みが各所でなされている。SiC半導体は従来広く用いられてきたSi半導体に比べると絶縁破壊電界が10倍高いという特徴を有するため、高電圧スイッチに適している。我々は産総研において新たに開発された耐圧13kVのSiC-MOSFETを２直列ー１２並列に接続した高電圧パルススイッチを試作した。今回はその評価結果について報告する。本研究の一部は、共同研究体「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション（ＴＰＥＣ）」 の事業として行われた。