THP050 　加速構造　 8月9日 大展示ホール 13:10 - 15:10

低損失誘電体の二次電子放出係数の測定

Measurement of the secondary electron-emission coefficient from low-loss dielectric materials

○森 紳悟，吉田 光宏（高エネ研），佐藤 大輔（産総研）

○Shingo Mori, Mitsuhiro Yoshida (KEK), Daisuke Satoh (AIST)

低損失誘電体の二次電子放出係数について議論する。 誘電体アシスト型高周波加速空洞は、高電界加速と高電力効率を両立可能な低損失誘電体を用いた新奇加速空洞である。 誘電体材料は、常伝導体に比べて高周波損失が小さく、高い耐電圧特性を持ち、低コストで制作可能である。 しかし、低損失誘電体材料は一般に高い二次電子放出係数を持ち、空洞内でのマルチパクタ現象による電力損失の急激な増加が課題となっている。 そこで我々は、局所的に誘電体材料の表面にTiNコーティングを行うことで、二次電子放出係数を下げることを試みた。 本講演では、TiNコーティングの前後における二次電子放出係数の測定実験の結果について議論する。