FROM08 　電磁石と電源２/高周波源　 8月10日 特別会議室２ 13:40 - 14:00

高電圧高精度電源に適した低圧大電流IGBTユニットの開発

Development of low-voltage and large-current IGBT unit for high-voltage and high-precision power supply

○渡辺 泰広（日本原子力研究開発機構）

○Yasuhiro Watanabe (JAEA)

数kVの電圧が要求されるスイッチング電源では，電力損失の低減及び部品点数の削減を目的として，スイッチング素子の高電圧化が進んでいる。例えば，太陽光発電に用いられるMWクラスの大容量パワーコンディショナでは，直流1500Vが主流となりつつあり，定格電圧3300Vの高電圧IGBTが用いられる。しかし，高電圧のIGBTは、スイッチング一回当たりのステップ電圧が高くなることや，スイッチング周波数が高くできないため，フィルタ回路が大型化するなど高精度電源においては不利となる。本論文では，定格電圧650VのIGBTを使用し，IGBT冷却用水冷銅板や直流コンデンサ，放電抵抗等を一体化した定格電圧300VのIGBTユニットを開発した。本ユニットは8台まで直列接続が可能であるため，最大電圧2400Vまで対応可能である。