TUP073 　光源加速器　 8月9日 コンベンションホール 13:10 - 15:10

HMBA型3GeV放射光源における抵抗性インピーダンスの影響

Impact of Resistive-Wall Impedance on a 3-GeV Light Source of HMBA lattice

○中村 典雄（高エネ研）

○Norio Nakamura (KEK)

HMBA(Hybrid Multi-Bend Achromat)ラティスを用いた3GeV極低エミッタンス放射光源の設計研究が行われている[1]。この光源はHMBA ラティス20セルで構成され、自然エミッタンス130pm·radを持つとともに、各セルに挿入光源用の長直線部と短直線部を持つことで最大40本のビームラインを建設することが可能である。挿入光源の最小ギャップはできる限り小さいことが利用可能な光子エネルギーの観点から望ましいが、抵抗性インピーダンスが大きくなるので、それによる発熱やビーム不安定性に考慮する必要がある。ここでは、挿入光源の最小ギャップによる抵抗性インピーダンスによって生じる発熱と多バンチビーム不安定性を評価した結果を報告する。ただし、挿入光源の真空チェンバーあるいは磁石列カバーシート（真空封止の場合）の内壁は銅製と仮定し、他のビームパイプの影響は無視した。　参考文献：[1] 原田他、短直線部のあるHMBA型3GeV放射光源の設計、本学会報告。