MOP111 　電磁石と電源　 8月8日 コンベンションホール 13:10 - 15:10

J-PARC RCS 入射バンプシステムの現状と将来計画

Present status and upgrade plane of the J-PARC RCS injection bump system

○高柳 智弘，植野 智晶，堀野 光喜，富樫 智人（J-PARC/JAEA），飛田 教光（NAT），山本 風海，金正 倫計（J-PARC/JAEA）

○Tomohiro Takayanagi, Tomoaki Ueno, Koki Horino, Tomohito Togashi (J-PARC/JAEA), Norimitsu Tobita (NAT), Kazami Yamamoto, Michikazu Kinsho (J-PARC/JAEA)

J-PARC 3GeVシンクロトロン(RCS)の入射バンプシステムは、2012年と2013年に、LINACの181MeVから400MeVへのアップグレードに合わせた電源の交換及び電源容量の増強を行った。水平シフトバンプ電源と水平ペイントバンプ電源1は新電源に変更し、水平ペイントバンプ電源2〜4は、定格の電流を1.6倍、電圧を2倍に電源容量を増強するため、既設電源に対してチョッパ盤の追加及びアセンブリ間の配線変更を実施した。そして、2015年1月には、RCS所期性能である１ＭＷ相当のビーム加速に成功した。しかし、その後、RCSの加速器が安定したユーザー利用運転を継続していく中で、水平ペイントバンプ電源では、パルスショット毎の電流値の変動（定格の±1%以上）や、荷電変換入射による入射部の残留線量の増加が散見されるようになった。そのため、電流値の変動については、旧水平ペイントバンプ電源を用いたオフラインでの調査・対策を実施し、残留線量については、入射用水平シフトバンプ電磁石の形状変更による入射部遮蔽体の追加を計画している。本発表では、入射バンプシステムの現状と将来計画について報告する。