MOP065 　電子加速器　 8月8日 コンベンションホール 13:10 - 15:10

SuperKEKB入射器におけるミスアラインメント、ジッターによるエミッタンス増大

EMITTANCE GROWTH BY MISALIGNMENTS AND JITTERS IN SUPERKEKB INJECTOR LINAC

○清宮 裕史，佐藤 政則，諏訪田 剛，肥後 寿泰，榎本 嘉範，宮原 房史，古川 和郎（KEK）

○Yuji Seimiya, Masanori Satoh, Tsuyoshi Suwada, Toshiyasu Higo, Yoshinori Enomoto, Fusashi Miyahara, Kazuro Furukawa (KEK)

SuperKEKB入射器では、低エミッタンスを実現するため、電子源としてフォトカソードRF電子銃が用いられる。ビーム制御の観点では、その高電荷かつ低エミッタンスビームを低エミッタンスのままSuperKEKB Ringへ輸送する必要がある。エミッタンスが増大してしまう主な理由は、ビームが加速空洞内で発生させるwakeによって、そのビーム自身が蹴られてしまうことにある。あるビームが空洞の中心からあるオフセットを持って通過する時、そのオフセットに依存したwakefieldの影響を受ける。そのため、ビームを空洞の中心を通すように適切にステアリング磁石を制御することでエミッタンス増大を最小限に抑えることができる。我々は、いくつかのミスアラインメントとジッターを考慮した粒子トラッキングシミュレーションを行った。