MOP039 　高周波源　 8月8日 コンベンションホール 13:10 - 15:10

IOTの利得変動の経験とその対策

Experience of gain drop of IOT and its improvement

○安 和彦，石本 和也，花香 宣彦，沼田 直人（日本アドバンストテクノロジー株式会社），明本 光生，荒川 大，竹中 たてる，中島 啓光，松本 利広，三浦 孝子，道園 真一郎，チュウ セン（高エネルギー加速器研究機構）

○Kazuhiko Yasu, Kazuya Ishimoto, Norihiko Hanaka, Naoto Numata (Nippon Advanced Technology Co. Ltd.), Mitsuo Akemoto, Dai Arakawa, Tateru Takenaka, Hiromitsu Nakajima, Toshihiro Matsumoto, Takako Miura, Shinichirou Michizono, Feng Qiu (High Energy Accelerator Research Organization)

KEKのcERL棟内においてＲＦ入力カップラのエージングや機器の試験用として1.3GHz,30kW CW出力のCPI社製のIOTを用いてＲＦテストスタンドを構築した。このIOTはcERLの９セル超伝導加速空洞用のRF源として導入されたが、現在は8kWの半導体アンプに置き換えられ、一年間程使用していなかった。再度このIOTを運転することとなった為、動作試験を行ったところ、試験中にRF出力が急落する事象が多発した。特に一度ＲＦが切られると、ＲＦ再投入時は、必ず3dB程度のゲインの低下が見られた。一度ゲイン低下が起こると、ゲインが再度回復することは無く、運転を停止して次の日の立ち上げ時には、ゲインが回復することが多かった。このゲイン低下の原因究明の過程や対策について報告する。