MOP031 　高周波源　 8月8日 コンベンションホール 13:10 - 15:10

クライストロンモジュレータ用50kV 半導体スイッチ回路の開発

Development of 50 kV Solid-state Switch for the Klystron Modulator

○天神 薫，徳地 明（株式会社パルスパワー技術研究所），大竹 雄次，稲垣 隆宏，近藤 力（理研 放射光科学総合研究センター）

○Kaoru Tenjin, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.), Yuji Otake, Takahiro Inagaki, Chikara Kondo (National Institute of RIKEN,SPring-8 Center)

クライストロンに電力を供給するモジュレータ部の高電圧、高電流スイッチには、ガス封入放電管の一種であるサイラトロンが使用される場合が多い。 サイラトロンは物理的な構造上の要因にて、故障率、経年劣化の問題があり、寿命を伴う。 我々は、半永久的に使用可能となる静電誘導型サイリスタ素子(SIサイリスタ)を用いた半導体高電圧スイッチを開発中である。 その特性はX線自由レーザー施設(SPring-8 SACLA)など高強度、短パルス、高繰返し運転の要求される電源に合致するものであり、最大ブロッキング電圧：50kV、最大電流：6kA、パルス幅：4.5us、繰返し運転：120ppsを可能とする。本稿は、このSIサイリスタ素子を計192個組合せたスイッチ回路の詳細と試験結果に関するものである。