SUP028 　ポスターセッション２　 8月4日 豊田講堂１階アトリウム 13:00 - 15:00

NEA-GaAsフォトカソードにおけるイオン衝突の影響評価

Impact evaluation of Ion Back-Bombardment of NEA-GaAs

○三好 健太郎，栗木 雅夫，郭 磊（広大先端研），飯島 北斗（東京理科大）

○Kentaro Miyoshi, Masao Kuriki, Lei Guo (AdSM, Hiroshima Univ.), Hokuto Iijima (Tokyo University of Science)

本研究室では次世代加速器のための高性能電子源の開発研究の一環として、NEA-GaAsフォトカソードの研究をおこなってきた。NEA-GaAs光陰極は高量子効率、低エミッタンス、円偏向レーザーの入射による偏極電子の生成等の特長を持つ反面、カソードの脆弱性が課題である。いくつかの劣化プロセスの中で、残留ガスのイオン化によって発生する陽イオンのカソードへの逆流現象が、カソードへダメージを与え、運転時間を制限することがわかった。その効果の定量的評価のため、バイアスの変更によるイオン逆流の制御、ビーム試験中の真空圧力の変動の抑制を可能とするようなカソード試験装置の改造を行っている。本発表では、カソード試験装置内で発生した陽イオンの逆流現象をシミュレーションし、カソードへ到達するイオンの密度、一様性等のバイアス電圧依存性について発表する。