SAP109 　ポスターセッション１　 8月3日 豊田講堂２階ロビー 13:00 - 15:00

レーザーコンプトン散乱を用いた高強度レーザーの直接プロファイル計測

Direct diagnostic technique of high-intensity laser profile based on laser-Compton scattering

○吉田 靖史，佐藤 令，野々村 洸，坂上 和之，遠藤 彰，鷲尾 方一（早大理工研）

○Yasufumi Yoshida, Ryo Sato, Kou Nonomura, Kazuyuki Sakaue, Akira Endo, Masakazu Washio (RISE)

高強度レーザーは，次世代の半導体露光用光源であるEUV(Extreme Ultraviolet)光の生成方法のひとつであるLPP(Laser produced plasma)法において必要不可欠である。EUV光の生成効率向上及び安定性向上のために高強度レーザーの衝突点でのプロファイルを計測することは重要であるが，現在プロファイルを直接計測する手法は存在していない。そこで我々は，早稲田大学所有のCs-TeフォトカソードRF-Gunを用いたレーザーコンプトン散乱による高強度レーザーのプロファイル計測手法の開発を開始した。散乱光強度はレーザー強度に依存するため，レーザー光よりも十分に小さく収束された電子ビームを走査しながら散乱光強度分布を取得する事でレーザープロファイルを得られるという原理である(レーザーワイヤーの逆手法)。我々は電子ビームトラッキングコードGPT上で，強収束用ソレノイド電磁石を用いて各種パラメータを最適化することにより電子ビームサイズをσ~10μm程度に収束できることを示した。また，実際にビームライン上に強収束用電磁石をインストールし，収束ビームを生成した。そのビームサイズをGAFCHROMIC FILM HD-810を用いて測定し，σ~20μm程度の収束電子ビームを確認した。 　本発表では，GPTによるシミュレーションの結果，実際のビームサイズ測定結果及び今後の展望について述べる。