SAP069 　ポスターセッション１　 8月3日 豊田講堂２階ロビー 13:00 - 15:00

SPring-8蓄積リングにおける高速パルスドライブ電源の開発

Development of fast pulse driving power supply in the SPring-8 storage ring

○満田 史織，小林 和生，中西 辰郎，深見 健司（（公財）高輝度光科学研究センター），大島 隆（理研），大熊 春夫，佐々木 茂樹（（公財）高輝度光科学研究センター）

○Chikaori Mitsuda, Kazuo Kobayashi, Tatsuro Nakanishi, Kenji Fukami (JASRI/SPring-8), Takashi Ohshima (RIKEN/SPring-8 Center), Haruo Ohkuma, Shigeki Sasaki (JASRI/SPring-8)

SPring-8蓄積リングでは、ビーム入射時水平振動抑制のための高速パルスキッカー及び垂直キックスキームによる短パルス光生成のための高速パルス電源の開発を進めている。加速器リングの既設コンポーネントの配置を崩さずに、蹴り効率を最適化するため、β関数の最大点にてキックを与えられるよう、平均長さ30cmの小スペースにキッカーを設置することが求められた。そこで、限られた磁極長において、蓄積リング周回時間4.8μsよりも十分に短い時間のパルス幅で、250A以上の電流値を実現するために、キッカー電源を小型化するためドライブ回路部と高圧回路部に分離し、ドライブ電源部をマグネット近傍に設置しシステムを構築している。これによりインダクタンスの低減効果も生まれ高速化、電流出力増強が可能になった。ドライブ電源主回路部スイッチング部には、小型高耐圧、高速スイッチング、高繰り返し性、高寿命である半導体スイッチング素子のSi型 MOSFETを使用している。特にパルス幅可変の容易性、素子の乗せ換え、並列―直列接続組み換えによるスペック増強の容易性などに着目し2007年より開発を進めてきている。開発当初の1.0μs/67A出力から2012年には筺体サイズ0.01m3以下にて400ns/232A、200Hzでの出力が可能になった。電源出力の向上とともに、長期安定性の確保及びビーム実運用耐性の確保に向けた電源の開発上の課題点について報告を行う。